竭诚欢迎各位专家学者莅临“第二届全国有机场效应晶体管会议”！

    为进一步加快有机场效应晶体管（OFETs）研究的发展，第二届全国有机场效应晶体管会议于2019 年12 月12 日至15 日在澳门十大网赌排行榜深圳研究生院正式召开。会议邀请了国内外相关领域的知名学者，包括两院院士、长江学者、国家杰出青年基金获得者等，就OFETs 材料、器件及其相关学术、技术及工程研究领域前沿的科学问题和科研成果进行广泛深入的交流和研讨，为OFETs 工作者提供一个高水平的交流平台，共同探讨OFETs 的未来，推动OFETs 研究向更高目标迈进。会议组委会竭诚欢迎各位专家学者与企业界朋友莅临本届会议，共同探讨OFETs 领域的重大科学共性问题与产业化发展路径，推动OFETs 材料与器件进一步发展。

    本届会议将围绕有机场效应晶体管材料、器件、产业化技术、工程化应用等相关最新的学术和技术问题展开讨论。主要内容包括以下方面：

1. 有机半导体材料的设计、分子计算模拟、合成和表征

2. 有机半导体薄膜的生长、共混、形貌控制和制备工艺

3. 介电材料、导电材料和界面材料的设计合成

4. 分子器件和有机单晶及共晶生长和晶体管器件制备工艺

5. 晶体管器件物理、机理、建模和结构设计

6. 晶体管存储、反相、忆阻器，发光晶体管，光探测和光调制器件及应用集成

7. 化学和生物晶体管传感器、生物可降解及柔性可拉伸电子材料与器件

8. 器件可靠性、光电稳定性及高低温评估

9. 二维材料/碳纳米管/钙钛矿/无机氧化物FETs

10. 可印刷电子材料、电子纸、RFID 等印刷和图案化方法

会议时间：2019年12月12日-12月15日

会议地点：澳门十大网赌排行榜深圳研究生院·国际会议中心

特别致谢：会议发起人“中国科学院朱道本院士、黄维院士、刘云圻院士和天津大学副董事长胡文平教授”及第一届全国有机场效应晶体管会议主办单位“天津市分子光电科学重点实验室”。

    衷心感谢您的指导和支持！

附件1 OFET-2 会议手册