题目：Optical properties of graphene/GaN hybrid structure(石墨烯/GaN 异质结构的光学性质)

报告简介：石墨烯（Graphene）和氮化镓（GaN）是两种获得诺贝尔物理奖的新功能材料。其中GaN 代表着宽禁带的第三代半导体材料，而石墨烯则是一种新颖的半金属二维电子材料。在本项工作中，我们将CVD 生长在Cu 基板的大面积石墨烯转移到GaN 外延膜上以形成一种Graphene/GaN 异质结接触结构。我们主要研究了石墨烯对于GaN 中激子荧光的影响，观察到自由激子在界面处的分解
以及释出的电子转移到石墨烯层的荧光谱证据，以及石墨烯对于一种局域于GaN表面的缺陷束缚激子的补偿效应。用超快时间分辨荧光清晰地记载了自由激子分解以及电子转移的时间过程。[1] 在报告中，我将仔细报告实验结果以及分析与讨论。

1. J. Wang, et al., Sci. Rep. 5, 7687 (2015).